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极紫外光刻新技术问世 能大幅提高能源效率并降低半导体制造成本
发布时间：
2024-08-02
日本冲绳科学技术大学院大学（OIST）设计出一种新型极紫外（EUV）光刻技术，显著提升能源效率，功耗仅为传统设备的十分之一.
日本冲绳科学技术大学院大学（OIST）设计出一种新型极紫外（EUV）光刻技术，显著提升能源效率，功耗仅为传统设备的十分之一。该技术通过减少反射镜数量至4面，使超过10%的EUV光能量穿透到晶圆，解决了传统EUV光刻技术能量损耗大的问题。新型光刻机采用两个反射镜的“双线场”照明方法，简化设计并提升性能，已通过模拟验证满足先进半导体生产需求。该技术有望大幅降低能源消耗和制造成本，提升设备可靠性和使用寿命，并已申请专利，预计将对全球EUV光刻市场产生巨大经济效益，助力半导体市场价值增长。
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